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参数目录42517
> IRFBF20PBF MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
型号:
IRFBF20PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFBF20PBF PDF
产品目录绘图
IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
标准包装
1,000
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
8 欧姆 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
490pF @ 25V
功率 - 最大
54W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
产品目录页面
1528 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
*IRFBF20PBF
查看IRFBF20PBF代理商
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